JS-600M小型磁控濺射儀采用二極(DC)直流濺射原理設計,帶磁控靶頭,有水冷功能。設備操作簡單方便,適用于掃描電子顯微鏡(SEM)樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。磁控濺射為冷濺射,對樣品表面的升溫較低,適用對溫度較敏感的薄膜樣品。用戶可以根據(jù)自己的需要自行選擇不同的真空條件,濺射電流。大尺寸的真空腔體設計,滿足大樣品的濺射需求。
JS-600M薄膜制備小型磁控濺射儀采用二極(DC)直流濺射原理設計,帶磁控靶頭,有水冷功能。設備操作簡單方便,適用于掃描電子顯微鏡(SEM)樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。磁控濺射為冷濺射,對樣品表面的升溫較低,適用對溫度較敏感的薄膜樣品。用戶可以根據(jù)自己的需要自行選擇不同的真空條件,濺射電流。大尺寸的真空腔體設計,滿足大樣品的濺射需求。
JS-600M低溫濺射小型磁控濺射儀采用二極(DC)直流濺射原理設計,帶磁控靶頭,有水冷功能。設備操作簡單方便,適用于掃描電子顯微鏡(SEM)樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。磁控濺射為冷濺射,對樣品表面的升溫較低,適用對溫度較敏感的薄膜樣品。用戶可以根據(jù)自己的需要自行選擇不同的真空條件,濺射電流。大尺寸的真空腔體設計,滿足大樣品的濺射需求。
1600V二極磁控濺射儀采用二極(DC)直流濺射原理設計,帶磁控靶頭,有水冷功能。設備操作簡單方便,適用于掃描電子顯微鏡(SEM)樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。磁控濺射為冷濺射,對樣品表面的升溫較低,適用對溫度較敏感的薄膜樣品。用戶可以根據(jù)自己的需要自行選擇不同的真空條件,濺射電流。大尺寸的真空腔體設計,滿足大樣品的濺射需求。最高電壓1600V,保證在較高的真空環(huán)境下,維持自持放電。